类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 电压 - 额定直流 | 最大功率耗散 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | 参考标准 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 通道数量 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 无卤素 | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 极性/通道类型 | 下降时间(典型值) | 产品类别 | 晶体管类型 | 连续放电电流(ID) | 阈值电压 | JEDEC-95代码 | 逻辑IC类型 | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大双电源电压 | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级(Eas) | 场效应管技术 | 场效应管特性 | 漏源电阻 | 栅源电压 | 产品类别 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PHP225,118-NXP | NXP USA Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NXP USA Inc. | Bulk | 活跃 | * | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HAT2050TWS-E | Renesas Electronics America Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Renesas Electronics America Inc | 活跃 | Bulk | * | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SH8M11TB1 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2011 | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 2W | 2W | N and P-Channel | 98m Ω @ 3.5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 85pF @ 10V | 1.9nC @ 5V | 30V | 3.5A | 逻辑电平门 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AP3601N | APEC(Advanced Power Elec) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
8205A | YONGYUTAI | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SJ293-E | Renesas Electronics America Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 1 Week | NO | 3 | SILICON | Renesas Electronics America Inc | 15 A | Bulk | 活跃 | TO-220FM, 3 PIN | FLANGE MOUNT | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | 2SJ293-E | RECTANGULAR | Renesas Electronics Corporation | 1 | 不推荐 | RENESAS ELECTRONICS CORP | 5.19 | TO-220AB | * | e2 | EAR99 | Tin/Copper (Sn/Cu) | SINGLE | THROUGH-HOLE | 未说明 | compliant | 3 | R-PSFM-T3 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | ISOLATED | SWITCHING | P-CHANNEL | TO-220AB | 0.12 Ω | 60 A | 60 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
UPA1763G-E1-AT | Renesas Electronics America Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) | 8-PSOP | Renesas Electronics America Inc | Tape & Reel (TR) | 最后一次购买 | 4.5A | - | 2W | 2 N-Channel (Dual) | 57mOhm @ 2.3A, 4.5V | 2.5V @ 1mA | 870pF @ 10V | 20nC @ 10V | 60V | 逻辑电平门 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMN3016LDV-7 | Diodes Incorporated | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 17 Weeks | 表面贴装 | 8-PowerVDFN | 21A Tc | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2016 | e3 | 活跃 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 未说明 | 未说明 | 2 N-Channel (Dual) | 12m Ω @ 7A, 10V | 2V @ 250μA | 1184pF @ 15V | 9.5nC @ 4.5V | Standard | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EMH2604-TL-H | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 4 Weeks | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago) | 表面贴装 | 8-SMD, Flat Lead | 8 | 4A 3A | 2 | 30 ns | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2011 | e6 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | EAR99 | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | 1.2W | 8 | Dual | 1.2W | 9.2 ns | N and P-Channel | 45m Ω @ 4A, 4.5V | 无卤素 | 345pF @ 10V | 4.7nC @ 4.5V | 20V | 3A | 10V | 逻辑电平门 | 750μm | 2mm | 1.7mm | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTMD2C02R2 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | SILICON | 2 | 35 ns | 5.2A 3.4A | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2006 | e0 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 逻辑电平兼容 | 20V | 2W | DUAL | 鸥翼 | 240 | not_compliant | 2A | 30 | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 2W | N and P-Channel | SWITCHING | 43m Ω @ 4A, 4.5V | 1.2V @ 250μA | 1100pF @ 10V | 20nC @ 4.5V | 40ns | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 35 ns | 3.4A | 12V | 0.043Ohm | 20V | 48A | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SJ655-MG5 | onsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | onsemi | Bulk | 活跃 | Non-Compliant | * | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SD1936T-AC | onsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | onsemi | Bulk | 活跃 | * | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SJ664-E | onsemi | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | onsemi | 活跃 | Bulk | Non-Compliant | * | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PJA138K_R1_00001 | PANJIT International | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | SOT-23-3 | SOT-23 | - 55 C | 3000 | SMD/SMT | Panjit International Inc. | Enhancement | Panjit | Panjit | 630 pC | 4.5 Ohms | Details | 6.2 ns | 500 mA | Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®; | 500mA (Ta) | 2.5V, 10V | 500mW (Ta) | 活跃 | 50 V | 2.2 ns | 1.5 V | 500 mW | N-Channel | + 150 C | - 20 V, + 20 V | 0.000282 oz | -55°C ~ 150°C (TJ) | MouseReel | NFET-50TMN | MOSFETs | Si | Single | 1 Channel | N-Channel | 1.6Ohm @ 500mA, 10V | 1.5V @ 250µA | 50 pF @ 25 V | 1 nC @ 4.5 V | 19.2 ns | 50 V | ±20V | MOSFET | 1 N-Channel | - | MOSFET | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTE4007 | NTE Electronics, Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NTE Electronics, Inc | Bag | 活跃 | - | 5.72 | NTE ELECTRONICS INC | 活跃 | NTE Electronics Inc | NTE4007 | 有 | 未说明 | , | -55°C ~ 125°C | - | 未说明 | unknown | 500mW | 3 N and 3 P-Channel | - | - | - | - | - | INVERTER | Standard | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SP8M5FRATB | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 20 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | SILICON | 2 | 6A Ta 7A Ta | 150°C TJ | Cut Tape (CT) | 2017 | Automotive, AEC-Q101 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 未说明 | R-PDSO-G8 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 2W | N and P-Channel | SWITCHING | 30m Ω @ 6A, 10V, 28m Ω @ 7A, 10V | 2.5V @ 1mA | 520pF @ 10V 2600pF @ 10V | 7.2nC @ 5V, 25nC @ 5V | 30V | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 6A | 0.047Ohm | 24A | 30V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SMA5127 | Sanken | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 通孔 | 通孔 | 12-SIP | SILICON | 6 | 150°C TJ | Tube | 2001 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 12 | EAR99 | 8541.29.00.95 | 4W | SINGLE | 未说明 | 未说明 | 12 | R-PSIP-T12 | 不合格 | COMPLEX | 增强型MOSFET | 4W | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) | SWITCHING | 550 Ω @ 2A, 4V | 2V @ 250μA | 150pF @ 10V | 60V | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 4A | 4A | 0.55Ohm | 8A | 60V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FC6943010R | Panasonic Electronic Components | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | SOT-563, SOT-666 | 6 | SILICON | 2 | 100 ns | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2010 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | 8541.21.00.95 | 125mW | FLAT | 未说明 | unknown | 未说明 | FC694301 | Dual | 增强型MOSFET | 100 ns | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 8 Ω @ 10mA, 4V | 1.5V @ 1μA | 12pF @ 3V | 30V | 100mA | 1V | 12V | 0.1A | 6Ohm | 30V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | 1 V | 500μm | 1.6mm | 1.2mm | 无SVHC | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPG20N06S415ATMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-PowerVDFN | 8 | SILICON | 17 ns | 2 | -55°C~175°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2010 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Discontinued | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 50W | FLAT | 未说明 | 未说明 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 12 ns | 50W | 2 N-Channel (Dual) | 15.5m Ω @ 17A, 10V | 4V @ 20μA | 2260pF @ 25V | 29nC @ 10V | 2ns | 9 ns | 20A | 20V | 60V | 0.0155Ohm | 90 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SLA5064 | Sanken | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 通孔 | 12-SIP | NO | SILICON | 6 | 10A | 150°C TJ | Bulk | 2001 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 12 | EAR99 | 8541.29.00.95 | SINGLE | 未说明 | unknown | 未说明 | 12 | R-PSFM-T12 | 不合格 | COMPLEX | 增强型MOSFET | ISOLATED | 5W | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) | SWITCHING | 140m Ω @ 5A, 4V | 460pF @ 10V | 60V | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 10A | 0.14Ohm | 15A | 60V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTUD3171PZT5G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago) | 表面贴装 | 表面贴装 | SOT-963 | 6 | SILICON | 2 | 196 ns | 200mA | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2008 | e3 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | Tin (Sn) | 125mW | FLAT | 未说明 | 未说明 | 6 | 不合格 | Dual | 增强型MOSFET | 200mW | 2 P-Channel (Dual) | SWITCHING | 5 Ω @ 100mA, 4.5V | 1V @ 250μA | 13.5pF @ 15V | 46ns | 20V | 145 ns | 250mA | 8V | 0.2A | 5Ohm | -20V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMA5132 | Sanken | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 通孔 | 通孔 | 12-SIP | SILICON | 6 | Tube | 2012 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 12 | SINGLE | 未说明 | unknown | 未说明 | 12 | R-PSIP-T12 | 不合格 | COMPLEX | 增强型MOSFET | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) | 500V | N-CHANNEL | 1.5A | 4Ohm | 500V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NX3008NBKSH | Nexperia USA Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 4 Weeks | 表面贴装 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | YES | SILICON | 2 | 350mA Ta | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2011 | Automotive, AEC-Q101 | 活跃 | 6 | 鸥翼 | 6 | AEC-Q101; IEC-60134 | R-PDSO-G6 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 445mW | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 1.4 Ω @ 350mA, 4.5V | 1.1V @ 250μA | 50pF @ 15V | 0.68nC @ 4.5V | 30V | 0.35A | 30V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EFC3J018NUZTDG | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 20 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | 表面贴装 | 6-XFBGA, WLCSP | 23A Ta | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | yes | 活跃 | 2.5W Ta | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 4.7m Ω @ 5A, 4.5V | 1.3V @ 1mA | 75nC @ 4.5V | 20V | Logic Level Gate, 2.5V Drive | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPCP8203(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SMD, Flat Lead | 8 | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2007 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 360mW | 1.48W | 2 N-Channel (Dual) | 2.5V @ 1mA | 15ns | 40V | 9 ns | 4.7A | 20V | 40V | Standard | 40mOhm | 符合RoHS标准 | 无铅 |
PHP225,118-NXP
NXP USA Inc.
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
HAT2050TWS-E
Renesas Electronics America Inc
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
SH8M11TB1
ROHM Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
AP3601N
APEC(Advanced Power Elec)
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
8205A
YONGYUTAI
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
2SJ293-E
Renesas Electronics America Inc
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
UPA1763G-E1-AT
Renesas Electronics America Inc
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DMN3016LDV-7
Diodes Incorporated
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
EMH2604-TL-H
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NTMD2C02R2
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
2SJ655-MG5
onsemi
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
2SD1936T-AC
onsemi
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
2SJ664-E
onsemi
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
PJA138K_R1_00001
PANJIT International
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NTE4007
NTE Electronics, Inc
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
SP8M5FRATB
ROHM Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
SMA5127
Sanken
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
FC6943010R
Panasonic Electronic Components
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
IPG20N06S415ATMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
SLA5064
Sanken
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NTUD3171PZT5G
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
SMA5132
Sanken
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NX3008NBKSH
Nexperia USA Inc.
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
EFC3J018NUZTDG
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
TPCP8203(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
